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使用更好的机械性能与稳定性、良好的光学和电子性能，混合结构无机核心的使用是有希望的。在笼型倍半硅氧烷（POSS）的通式（RSiO / 2）n中，R是一个有机的群体，已被用于有机发光二极管（OLED），这表明稳定性的提高，甚至电致发光性能的增强。有机组件的退化机制尚未充分理解，但缺陷在光学设备和电学特性中发挥了关键的作用。为了提高这些材料的稳定性，缺陷的资料的使用也是非常重要的。不同的技术，如电流电压（I-V）的特点，阻抗谱，热刺激电流，或深能级瞬态谱（DLTS）的分析已被用来确定有机材料的缺陷参数在这项研究中，我们研究了由聚（2,3-二苯基-1，4-苯乙烯）（DP- PPV）和笼型倍半硅氧烷的无机核心（POSS-DP-PPV）组成的发光二极管作为混合发光材料，如图1所示。我们已经调查了设备的缺陷态，并通过深能级瞬态谱或Q-DLTS用杂化材料作为发射极。这种技术不同于传统的深能级瞬态谱用电荷变化代替电容变化的测量。在结果中，我们将讨论
POSS-DP-PPV的分子结构
双层装置是制备钙（Ca）阴极和铟锡氧化物（ITO）阳极之间的夹层结构。50纳米厚的孔注入层聚（乙撑）掺杂聚（苯乙烯）是旋涂在铟锡氧化物顶端7毫克/毫升分散的水中并在150℃的真空中干燥1小时。POSS-DP-PPV（200 nm）的薄膜是旋涂在甲苯溶液的PEDOT:PSS层并在50℃下干燥。较后，35纳米钙和100纳米铝电极通过使用热蒸发AUTO 306真空镀膜机在聚合物膜阴极形成沉淀。蒸发通常在基础压力低于 毫巴下进行。二极管电流电压的特性使用Keithley 2400源表测量。深能级瞬态谱的测量是使用自动化系统完成的，ASMEC-06由InOmTech公司提供并在以前的研究中描述过。为了确定缺陷能级，得到的光谱在220K-320K温度范围内变化。所有的测量在真空和黑暗环境中进行。
热量衡算遵循能量守恒定律，热力学「过滤违法词」定律是热量衡算的理论依据。即若忽略机器的散热，不考虑摩擦剪切热则：加热器放出的热量（Q0）应等于物料所吸收的热量（Q1）。
塑料制品成型加工过程更多采用对单元设备的热量衡算。
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